BS170-D27Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
401 ֏
от 100 шт. —
185 ֏
от 500 шт. —
154 ֏
2 шт.
на сумму 1 160 ֏
Посмотреть аналоги11
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 500мА, 830мВт, TO92 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Forward Transconductance - Min: | 0.32 S |
Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-92-3 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Part # Aliases: | BS170_D27Z |
Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
Series: | BS170 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | FET |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 881 КБ