FCH165N60E, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 14А, Idm: 69А, 227Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 200 ֏
от 10 шт. —
7 400 ֏
от 30 шт. —
5 900 ֏
от 90 шт. —
4 950 ֏
1 шт.
на сумму 11 200 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 14А, Idm: 69А, 227Вт, TO247-3
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 23 A |
| Pd - рассеивание мощности | 227 W |
| Qg - заряд затвора | 57 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 165 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 18 ns |
| Время спада | 18 ns |
| Высота | 20.82 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SuperFET II |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 20 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Серия | FCH165N60E |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 4.82 mm |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet FCH165N60E
pdf, 433 КБ