IRF540PBF-BE3, MOSFET 100V N-CH HEXFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 410 ֏
от 10 шт. —
1 580 ֏
от 100 шт. —
1 300 ֏
от 250 шт. —
1 210 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 410 ֏
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0 |
| Power Dissipation | 0 |
| Квалификация | 0 |
| Количество Выводов | 0 |
| Линейка Продукции | IRF540 Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 0 |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 0 |
| Напряжение Истока-стока Vds | 0 |
| Непрерывный Ток Стока | 0 |
| Пороговое Напряжение Vgs | 0 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |