DMN10H220LK3-13
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
308 ֏
от 500 шт. —
225 ֏
2 шт.
на сумму 1 160 ֏
Технические параметры
| Case | TO252 |
| Drain current | 4.7A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 6.7nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.25Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 7.5W |
| Pulsed drain current | 30A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) | 7.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 220mΩ@2A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 384pF@25V |
| Power Dissipation (Pd) | 18.7W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.7nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |