IMD9AT108
4633 шт., срок 8-10 недель
530 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
388 ֏
от 100 шт. —
216 ֏
от 500 шт. —
184 ֏
2 шт.
на сумму 1 060 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
68@5mA,5V 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 300mW 100mA 50V 500nA SOT-457 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@5mA, 250uA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 68@5mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Техническая документация
Datasheet UMD9NTR
pdf, 1685 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг