FDMC8030
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 ֏
от 6000 шт. —
580 ֏
от 9000 шт. —
520 ֏
1 шт.
на сумму 800 ֏
Описание
РАСШИРЕНИЕ МОП-транзисторов Power Trench
ON Semiconductor расширило линейку полевых МОП-транзисторов Power Trench, чтобы предложить различные напряжения сток-исток, ток стока и R DS (ON). Дополнительные функции в этом расширении полевых МОП-транзисторов ON Semiconductor Power Trench® включают усовершенствованный корпус и комбинацию кремния для низкого R DS (ON) и высокой эффективности, термически эффективные корпуса, а также усовершенствованную технологию корпусных диодов следующего поколения, разработанную для мягкого восстановления. Приложения для этих полевых МОП-транзисторов Power Trench® включают синхронные выпрямители для преобразователей постоянного / постоянного тока, переключатели низкого уровня для ноутбуков или сетевых устройств, выпрямители на вторичной стороне телекоммуникационных сетей, переключатели нагрузки и многое другое.
Подробнее
ON Semiconductor предлагает как N-канальные, так и P-канальные версии полевых МОП-транзисторов с использованием усовершенствованного процесса Power Trench, оптимизированного для переключения с низким R DS (ON) производительность и надежность.
Посмотреть весь ассортимент полевых МОП-транзисторов Power Trench®
ON Semiconductor расширило линейку полевых МОП-транзисторов Power Trench, чтобы предложить различные напряжения сток-исток, ток стока и R DS (ON). Дополнительные функции в этом расширении полевых МОП-транзисторов ON Semiconductor Power Trench® включают усовершенствованный корпус и комбинацию кремния для низкого R DS (ON) и высокой эффективности, термически эффективные корпуса, а также усовершенствованную технологию корпусных диодов следующего поколения, разработанную для мягкого восстановления. Приложения для этих полевых МОП-транзисторов Power Trench® включают синхронные выпрямители для преобразователей постоянного / постоянного тока, переключатели низкого уровня для ноутбуков или сетевых устройств, выпрямители на вторичной стороне телекоммуникационных сетей, переключатели нагрузки и многое другое.
Подробнее
ON Semiconductor предлагает как N-канальные, так и P-канальные версии полевых МОП-транзисторов с использованием усовершенствованного процесса Power Trench, оптимизированного для переключения с низким R DS (ON) производительность и надежность.
Посмотреть весь ассортимент полевых МОП-транзисторов Power Trench®
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Configuration | Dual |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Height | 0.8 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| Length | 3 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | Power-33-8 |
| Packaging | Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation | 800 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 12 nC, 21 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10 mOhms |
| RoHS | Details |
| Series | FDMC8030 |
| Technology | Si |
| Tradename | PowerTrench |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Unit Weight | 0.006914 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Width | 3 mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | Power-33-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC, 21 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Series: | FDMC8030 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 28 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Maximum Power Dissipation | 1.9 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | Power 33 |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 5 V, 21 nC @ 10 V |