FDA28N50, MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 230 ֏
от 10 шт. —
3 440 ֏
от 100 шт. —
2 610 ֏
от 500 шт. —
2 380 ֏
1 шт.
на сумму 4 230 ֏
Описание
МОП-транзистор UniFET 500V
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Pd - рассеивание мощности | 310 W |
| Qg - заряд затвора | 105 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 155 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 126 ns |
| Время спада | 110 ns |
| Высота | 20.1 mm |
| Длина | 16.2 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | UniFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Серия | FDA28N50 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 210 ns |
| Типичное время задержки при включении | 56 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |
| Ширина | 5 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.122Ом |
| Power Dissipation | 310Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | UniFET |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 28А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 310Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.122Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PN |
Техническая документация
Datasheet FDA28N50
pdf, 1526 КБ
Datasheet FDA28N50
pdf, 1524 КБ