FDC6327C, MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
361 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
300 ֏
от 100 шт. —
238 ֏
от 500 шт. —
185 ֏
3 шт.
на сумму 1 083 ֏
Описание
Описание Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, дополнительная пара, 20/-20В Характеристики
| Категория | Диод |
Технические параметры
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.9А |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 900мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 960мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.069Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.7A, 1.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 10V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Series | PowerTrenchВ® |
| Supplier Device Package | SuperSOTв(ў-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A, 2.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ, 270 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.85 nC @ 4.5 V, 3.25 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.7mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 148 КБ
Datasheet FDC6327C
pdf, 246 КБ
Документация
pdf, 278 КБ