FDC642P, MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
![Фото 1/2 FDC642P, MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762901.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC027066008.jpg)
366 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
291 ֏
от 100 шт. —
220 ֏
от 500 шт. —
198 ֏
3 шт.
на сумму 1 098 ֏
Описание
Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 7 ns |
Forward Transconductance - Min: | 9 S |
Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SSOT-6 |
Part # Aliases: | FDC642P_NL |
Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Qg - Gate Charge: | 16 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 65 mOhms |
Rise Time: | 7 ns |
Series: | FDC642P |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerTrench |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 120 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 6 |
Series | PowerTrench |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
Width | 1.7mm |