FDA59N30, MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 260 ֏
от 10 шт. —
2 690 ֏
от 100 шт. —
2 050 ֏
от 500 шт. —
1 870 ֏
1 шт.
на сумму 3 260 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 35А, Idm: 236А, 500Вт, TO3PN Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 59(A) |
| Drain-Source On-Volt | 300(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±30(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-3P |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 500(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Continuous Drain Current (Id) | 59A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 56mΩ@10V, 29.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.67nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 500W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 100nC@10V |
Техническая документация
Datasheet FDA59N30
pdf, 1918 КБ