2N7002KT1G, MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
31 ֏
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
27 ֏
от 500 шт. —
22 ֏
от 3000 шт. —
20 ֏
30 шт.
на сумму 930 ֏
Описание
The 2N7002KT1G is a N-channel Small Signal MOSFET offers 60V drain source voltage and 320mA steady state drain current. It is suitable for low side load switch, level shift circuits, DC-to-DC converter, portable DSC and PDA applications.
• Low RDS (ON)
• Surface-mount package
• Halogen-free
• ESD Protected
• -55 to 150°C Operating junction temperature range
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 1.19Ом |
Power Dissipation | 420мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 380мА |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
Рассеиваемая Мощность | 420мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.19Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 380 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 420 mW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Case | SOT23 |
Drain current | 0.38A |
Drain-source voltage | 60V |
Gate charge | 0.7nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | ONSEMI |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 2.5Ω |
Polarisation | unipolar |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1 |