BC847CWT1G, TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36 ֏
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
31 ֏
от 500 шт. —
24 ֏
30 шт.
на сумму 1 080 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V NPN
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.85 mm |
| Длина | 2.1 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BC847CW |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-70-3 |
| Ширина | 1.24 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Minimum DC Current Gain | 420 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323(SC-70) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.01 |