DTC123JET1G, TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
31 ֏
30 шт.
на сумму 1 200 ֏
Описание
Описание Транзистор биполярный NPN DTC123JET1G от ONSEMI представляет собой высококачественный компонент в корпусе SC75, предназначенный для монтажа SMD. С характеристиками тока коллектора 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер 50 В, а также мощностью 0,23 Вт, этот транзистор обеспечивает надежную и эффективную работу в различных областях применения. Особенно подходит для использования в цифровой электронике, управляющих цепях и силовой электронике. Код товара DTC123JET1G гарантирует легкость идентификации и заказа для инженеров и разработчиков. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 50 |
| Мощность, Вт | 0.23 |
| Корпус | SC75 |
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@1mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@5mA, 10V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-416(SC-75) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Input Resistor | 2.2 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 0.047 |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet DTC123JET1G
pdf, 134 КБ