FDN306P, MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
![Фото 1/6 FDN306P, MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735666.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/339/DOC018339043.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC021413223.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/321/DOC028321848.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/208/DOC037208116.jpg)
207 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
172 ֏
от 500 шт. —
137 ֏
от 3000 шт. —
117 ֏
10 шт.
на сумму 2 070 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 10 ns |
Forward Transconductance - Min | 10 S |
Height | 1.12 mm |
Id - Continuous Drain Current | -2.6 A |
Length | 2.9 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SSOT-3 |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | FDN306P_NL |
Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
Product | MOSFET Small Signal |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 40 mOhms |
Rise Time | 10 ns |
RoHS | Details |
Series | FDN306P |
Technology | Si |
Tradename | PowerTrench |
Transistor Polarity | P-Channel |
Transistor Type | 1 P-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 38 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
Unit Weight | 0.001058 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -12 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
Width | 1.4 mm |
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 10 ns |
Forward Transconductance - Min: | 10 S |
Id - Continuous Drain Current: | 2.6 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SSOT-3 |
Part # Aliases: | FDN306P_NL |
Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Qg - Gate Charge: | 17 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
Rise Time: | 10 ns |
Series: | FDN306P |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerTrench |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 2.6 A |
Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
Maximum Power Dissipation | 500 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 266 КБ
Datasheet
pdf, 144 КБ
Документация
pdf, 260 КБ
Datasheet FDN306
pdf, 146 КБ