2N7002WT1G, MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36 ֏
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
31 ֏
от 500 шт. —
26 ֏
от 3000 шт. —
20 ֏
30 шт.
на сумму 1 080 ֏
Посмотреть аналоги8
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В 310MA SOT323 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 310 mA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SC-70-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 280 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
| Rise Time: | 9 ns |
| Series: | 2N7002W |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55.8 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 155 КБ
Datasheet 2V7002WT1G
pdf, 65 КБ