IXFX360N10T, Транзистор N-MOSFET, 100В, 360А, 1250Вт, PLUS247™

IXFX360N10T, Транзистор N-MOSFET, 100В, 360А, 1250Вт, PLUS247™
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
17 500 ֏
от 3 шт.13 900 ֏
от 10 шт.11 100 ֏
от 30 шт.9 800 ֏
1 шт. на сумму 17 500 ֏
Номенклатурный номер: 8010485065
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case PLUS247™
Drain current 360A
Drain-source voltage 100V
Features of semiconductor devices thrench gate power mosfet
Gate charge 525nC
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer IXYS
Mounting THT
On-state resistance 2.9mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 1.25kW
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 183 КБ