BC857BLT3G, TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт. —
22 ֏
от 1000 шт. —
17 ֏
от 2000 шт. —
15 ֏
100 шт.
на сумму 2 700 ֏
Посмотреть аналоги20
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V PNP
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.94 mm |
Длина | 2.9 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.65 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Серия | BC857BL |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 215 КБ