FDN335N, MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
185 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
159 ֏
от 500 шт. —
137 ֏
от 3000 шт. —
128 ֏
10 шт.
на сумму 1 850 ֏
Описание
Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.7 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SSOT-3 |
| Part # Aliases: | FDN335N_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms |
| Rise Time: | 8.5 ns |
| Series: | FDN335N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.7A(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Packaging | Digi-ReelВ® |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Series | PowerTrenchВ® |
| Supplier Device Package | SuperSOT-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 242 КБ
Datasheet
pdf, 81 КБ
FDN335N
pdf, 206 КБ
Документация
pdf, 193 КБ