KIA50N06BD, 60V 50A 12.5m-@10V,30A 88W 4V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
16580 шт., срок 6 недель
272 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
174 ֏
от 150 шт. —
147 ֏
от 500 шт. —
122 ֏
5 шт.
на сумму 1 360 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8014105769
Бренд: KIA Semicon Tech
Описание
60V 50A 12.5mΩ@10V,30A 88W 4V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 50A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 12.5mΩ@10V, 30A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 88W |
Type | N Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 50A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 88W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 12.5mО© @ 30A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
Вес, г | 0.46 |
Техническая документация
Datasheet KIA50N06BD
pdf, 394 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг