APT14F100B, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1000В, 14А, 500Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 900 ֏
от 3 шт. —
10 500 ֏
1 шт.
на сумму 12 900 ֏
Описание
МОП-транзистор FG, FREDFET, 1000V, TO-247
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Drain current | 14A |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Gate charge | 0.12µC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 980mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 500W |
| Technology | POWER MOS 8® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Pd - рассеивание мощности | 500 W |
| Qg - заряд затвора | 120 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 980 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 29 ns |
| Время спада | 26 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 16 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 95 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Торговая марка | Microchip / Microsemi |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес, г | 6.04 |
Техническая документация
Datasheet APT14F100B
pdf, 297 КБ