2SB1188T100R, Транзистор
5 шт., срок 5-6 недель
234 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 1 170 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
32V 2W 180@500mA,3V 2A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 32V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@2A, 200mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@500mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Base Part Number | 2SB1188 |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA(ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 500mA, 3V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Manufacturer | Rohm Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-243AA |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 2W |
| Series | - |
| Supplier Device Package | MPT3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
| Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 174 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг