DTC044EEBTL, Транзистор: NPN
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2960 шт., срок 5-6 недель
36 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
22 ֏
от 600 шт. —
19 ֏
20 шт.
на сумму 720 ֏
Описание
80@5mA,10V 1 NPN - Pre Biased 150mW 30mA 50V SOT-416F Digital Transistors ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 30mA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@500uA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@5mA, 10V |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet DTC044EEBTL
pdf, 1420 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг