2SCR573D3TL1, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт., срок 5-6 недель
580 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
50V 10W 180@100mA,3V 3A NPN TO-252-2 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 3A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 130mV@1A, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@100mA, 3V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 10W |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 320MHz |
Collector Emitter Voltage Max | 50В |
Continuous Collector Current | 3А |
DC Current Gain hFE Min | 180hFE |
DC Усиление Тока hFE | 180hFE |
Power Dissipation | 10Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 320МГц |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1681 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг