EMX1T2R, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
181500 шт., срок 5-6 недель
66 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
44 ֏
от 300 шт. —
38 ֏
от 1000 шт. —
35 ֏
10 шт.
на сумму 660 ֏
Альтернативные предложения2
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | 150 mA |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 120 |
| DC Current Gain HFE Max | 560 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 180 MHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.15 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | EMT-6 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | EMX1 |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | EMX1 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1976 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг