2SD2707T2LV, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 шт., срок 5-6 недель
282 ֏
от 10 шт. —
163 ֏
от 30 шт. —
106 ֏
от 100 шт. —
73 ֏
1 шт.
на сумму 282 ֏
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 0.15 A |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 820 |
DC Current Gain HFE Max | 2700 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 12 V |
Factory Pack Quantity | 8000 |
Gain Bandwidth Product FT | 250 MHz |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 0.15 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | VMT-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | 2SD2707 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1266 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг