IMD9AT108, Транзистор: NPN / PNP
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
365 шт., срок 5-6 недель
115 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
66 ֏
от 150 шт. —
42 ֏
5 шт.
на сумму 575 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
68@5mA,5V 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 300mW 100mA 50V 500nA SOT-457 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@5mA, 250uA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 68@5mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 300mW |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet UMD9NTR
pdf, 1685 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг