FDN304P, MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
264 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
216 ֏
от 500 шт. —
163 ֏
от 3000 шт. —
134 ֏
10 шт.
на сумму 2 640 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min | 12 S |
| Height | 1.12 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -2.4 A |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SSOT-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | FDN304P_NL |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 52 mOhms |
| Rise Time | 15 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FDN304P |
| Technology | Si |
| Tradename | PowerTrench |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Unit Weight | 0.001058 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Width | 1.4 mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.4 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SSOT-3 |
| Part # Aliases: | FDN304P_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 52 mOhms |
| Rise Time: | 15 ns |
| Series: | FDN304P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 276 КБ
Документация
pdf, 262 КБ