MMBTA56, SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
10 шт.
на сумму 970 ֏
Описание
SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 50MHz |
Collector Emitter Voltage Max | 80В |
Continuous Collector Current | 500мА |
DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
Power Dissipation | 300мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 50МГц |
Вес, г | 1 |