2SB1424T100R, 100nA 20V 500mW 180@100mA,2V 3A 240MHz 500mV@2A,100mA PNP +150-@(Tj) SC-62 Bipolar Transistors - BJT

630 шт., срок 5-6 недель
216 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.128 ֏
от 150 шт.106 ֏
5 шт. на сумму 1 080 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015748858
Бренд: Rohm

Технические параметры

Collector Current (Ic) 3A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 20V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@2A, 100mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 180@100mA, 2V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 500mW
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 240MHz
Brand ROHM Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO - 20 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 20 V
Configuration Single
Continuous Collector Current - 3 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 120
DC Current Gain HFE Max 390
Emitter- Base Voltage VEBO - 6 V
Factory Pack Quantity 1000
Gain Bandwidth Product FT 240 MHz
Height 1.5 mm
Length 4.5 mm
Manufacturer ROHM Semiconductor
Maximum DC Collector Current 3 A
Maximum Operating Temperature + 150 C
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation 500 mW
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Series 2SB1424
Subcategory Transistors
Transistor Polarity PNP
Unit Weight 0.004603 oz
Width 2.5 mm
Вес, г 0.13

Техническая документация

Datasheet
pdf, 64 КБ
Datasheet 2SB1424T100Q
pdf, 61 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 25 августа1 бесплатно
HayPost 28 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг