SH8M41TB1, Транзистор: N/P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2074 шт., срок 5-6 недель
530 ֏
от 10 шт. —
357 ֏
от 30 шт. —
264 ֏
от 100 шт. —
224 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
80V 130mΩ@3.4A,10V 2W 2.5V@1mA 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 3.4A;2.6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 130mΩ@3.4A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 600pF@10V |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9.2nC@5V |
| Type | 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel |
| Case | SOP8 |
| Drain current | 3.4/-2.6A |
| Drain-source voltage | 80/-80V |
| Gate charge | 6.6/8.2nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 160/310mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 2W |
| Pulsed drain current | 10.4…13.6A |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Вес, г | 0.12 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг