2SB1132FD5T100R, Транзистор биполярный BJT 500 нА 32 В 2 Вт 180 при 100 мА, 3 В 1 А 150 МГц 200 мВ при 500 мА, 50 мА PNP +150-@(Tj) SOT-89(S
540 шт., срок 5-6 недель
115 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
71 ֏
от 150 шт. —
49 ֏
5 шт.
на сумму 575 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 32V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@100mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 150MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 32V |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet 2SB1132FD5T100R
pdf, 229 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг