DTA043EEBTL, SOT-416FL Digital Transistors
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2850 шт., срок 5-6 недель
44 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
36 ֏
от 150 шт. —
24 ֏
от 500 шт. —
20 ֏
5 шт.
на сумму 220 ֏
Описание
20@5mA,10V One PNP - Pre-Biased 150mW 100mA 50V SOT-416 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@5mA, 500uA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 20@5mA, 10V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | One PNP-Pre-Biased |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Base-Emitter Resistor | 4.7kΩ |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Minimum DC Current Gain | 20 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-416FL |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Typical Input Resistor | 4.7 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг