RHP030N03T100, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
985 шт., срок 5-6 недель
370 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
234 ֏
от 150 шт. —
198 ֏
5 шт.
на сумму 1 850 ֏
Альтернативные предложения3
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 210 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
| Width | 2.5mm |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг