RUR040N02FRATL, Транзистор: N-MOSFET
1520 шт., срок 5-6 недель
348 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
242 ֏
от 150 шт. —
220 ֏
от 500 шт. —
192 ֏
5 шт.
на сумму 1 740 ֏
Описание
20V 4A 35mΩ@4.5V,4A 1W 1.3V@1mA N Channel TSMT-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@4.5V, 4A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.3V@1mA |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet RUR040N02FRATL
pdf, 2110 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг