UMC3NTR, UMT5 Bipolar Transistors - BJT
180 шт., срок 5-6 недель
124 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
75 ֏
10 шт.
на сумму 1 240 ֏
Описание
30@5mA,5V 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-353 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@500uA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 30@5mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 92 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг