KIA3415, МОП-Транзистор 20 В 4 А 45 м - 4,5 В, 4 А 1,4 Вт 800 мВ при 250мкА P-канальные МОП-Транзистор SOT-23 (SOT-23-3)
360 шт., срок 6 недель
85 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
49 ֏
от 300 шт. —
35 ֏
10 шт.
на сумму 850 ֏
Номенклатурный номер: 8015796256
Бренд: KIA Semicon Tech
Описание
16V 4A 45mΩ@4.5V,4A 1.4W 800mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@4.5V, 4A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 16V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 800mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 1.4W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | P Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 4A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.4W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 45mΩ 4A, 4.5V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 800mV 250uA |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 115 КБ
Datasheet KIA3415
pdf, 110 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг