2SD1733TLR, 1uA 80V 10W 180@500mA,3V 1A 100MHz 150mV@500mA,20mA NPN +150-@(Tj) TO-252-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
3805 шт., срок 5-6 недель
660 ֏
от 10 шт. —
427 ֏
от 30 шт. —
374 ֏
от 100 шт. —
334 ֏
1 шт.
на сумму 660 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
80V 10W 180@500mA,3V 1A NPN TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@500mA, 20mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@500mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 10W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.44 |
Техническая документация
Документация
pdf, 490 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг