SSTA13T116, 1 NPN - Pre Biased 200mW 300mA 30V SOT-23-3 Digital Transistors
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1981 шт., срок 5-6 недель
326 ֏
от 10 шт. —
238 ֏
от 30 шт. —
181 ֏
от 100 шт. —
142 ֏
1 шт.
на сумму 326 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
30V 10000@100mA,5V NPN 300mA 200mW SOT-23 Darlington Transistors ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 300mA |
Collector cut-off current (Icbo@Vcb) | 100nA |
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@100uA, 100mA |
Collector-emitter voltage (Vceo) | 30V |
DC current gain (hFE@Vce,Ic) | 10000@100mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | NPN |
Transition frequency (fT) | 125MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
Maximum DC Collector Current | 300mA |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet SSTA13T116
pdf, 159 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг