IMZ1AFRAT108, 100nA 50V 300mW 120@1mA,6V 150mA 1 NPN,1 PNP +150-@(Tj) SOT-457 Bipolar Transistors - BJT
1400 шт., срок 5-6 недель
115 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
84 ֏
от 150 шт. —
75 ֏
от 500 шт. —
64 ֏
5 шт.
на сумму 575 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
50V 300mW 120@1mA,6V 150mA NPN+PNP SOT-457 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 5mA;500mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@1mA, 6V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Transistor Type | NPN+PNP |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz;140MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Pd - Power Dissipation | 300mW |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet IMZ1AFRAT108
pdf, 1210 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг