UMZ7NTR, 100nA 12V 150mW 270@10mA,2V 500mA 1 NPN,1 PNP +150-@(Tj) UMT6 Bipolar Transistors - BJT
1625 шт., срок 5-6 недель
185 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
115 ֏
от 150 шт. —
97 ֏
от 500 шт. —
82 ֏
5 шт.
на сумму 925 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
12V 150mW 270@10mA,2V 500mA NPN+PNP UMT-6 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 12V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 90mV@200mA, 10mA;100mV@200mA, 10mA2 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 270@10mA, 2V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | NPN+PNP |
| Transition Frequency (fT) | 320MHz;260MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 12V |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet UMZ7NTR
pdf, 997 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг