DTC143TUAT106, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323, 4,7кОм
![Фото 1/2 DTC143TUAT106, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323, 4,7кОм](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757521.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/540/DOC006540972.jpg)
3000 шт., срок 5-6 недель
44 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
27 ֏
от 600 шт. —
20 ֏
от 3000 шт. —
17 ֏
20 шт.
на сумму 880 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323, 4,7кОм Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.8 mm |
Длина | 2 mm |
Другие названия товара № | DTC143TUA |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 600 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DTC143TUA |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.25 mm |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet DTC143TUAT106
pdf, 1444 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг