QS5W2TR, 100nA 50V 1.25W 180@50mA,3V 3A 320MHz 2 NPN 130mV@1A,50mA +150-@(Tj) SOT-23-5 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2466 шт., срок 5-6 недель
374 ֏
от 10 шт. —
278 ֏
от 30 шт. —
216 ֏
от 100 шт. —
191 ֏
1 шт.
на сумму 374 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillattors, driver ICs and so forth.
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 130 mV |
| Configuration | Dual |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 180 |
| DC Current Gain HFE Max | 450 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 320 MHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-25T-5 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | QS5W2 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 320 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-25T |
| Pin Count | 5 |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг