AP2302B, 20V 2.8A 55m-@4.5V,2.8A 350mW 1.2V@50uA N Channel SOT-23 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
148000 шт., срок 5-6 недель
36 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
22 ֏
от 3000 шт. —
20 ֏
от 6000 шт. —
17 ֏
50 шт.
на сумму 1 800 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015870008
Описание
20V 2.8A 55mΩ@4.5V,2.8A 350mW 1.2V@50uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 3.5A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 36mΩ@10V, 3.5A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 311pF |
Power Dissipation (Pd) | 350mW |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 88pF |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.1nC |
Type | N Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 2.8A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 55mО© @ 2.8A,4.5V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.2V @ 50uA |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet AP2302B
pdf, 851 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг