US6K4TR, Транзистор: N-MOSFET x2
4160 шт., срок 5-6 недель
238 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
150 ֏
от 150 шт. —
137 ֏
от 500 шт. —
121 ֏
5 шт.
на сумму 1 190 ֏
Описание
20V 1.5A 180mΩ@4.5V,1.5A 1W 1V@1mA 2 N-Channel TUMT-6 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 1.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@4.5V, 1.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 110pF@10V |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 2.5nC@4.5V |
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet US6K4TR
pdf, 74 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг