FDC637AN, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 6,2А, 1,6Вт, SuperSOT-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
от 10 шт. —
344 ֏
от 30 шт. —
291 ֏
от 100 шт. —
235 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 6,2А, 1,6Вт, SuperSOT-6 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Max Processing Temp | 260 |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.2 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| RDS-on | 24@4.5V mOhm |
| Typical Fall Time | 11 ns |
| Typical Rise Time | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Case | SuperSOT-6 |
| Drain current | 6.2A |
| Drain-source voltage | 20V |
| Gate charge | 16nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| On-state resistance | 41mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.6W |
| Technology | PowerTrench® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 164 КБ
Документация
pdf, 181 КБ