2N7002AQ-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,2А, 0,37Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
84 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
53 ֏
от 300 шт. —
41 ֏
от 3000 шт. —
32 ֏
10 шт.
на сумму 840 ֏
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,2А, 0,37Вт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 220 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 540 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 Ohms |
| Series: | 2N7002AQ |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 227 КБ