DMG301NU-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 25В, 0,23А, 0,4Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
159 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
97 ֏
от 150 шт. —
80 ֏
от 500 шт. —
66 ֏
5 шт.
на сумму 795 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Fall Time: | 2.3 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 1 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 260 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 320 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 360 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
| Rise Time: | 1.8 ns |
| Series: | DMG301 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6.6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 4Ом |
| Power Dissipation | 320мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Непрерывный Ток Стока | 260мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.1В |
| Рассеиваемая Мощность | 320мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 4Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.07 |
Техническая документация
Datasheet DMG301NU-13
pdf, 503 КБ