DGD2106MS8-13, IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600?290mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 060 ֏
от 10 шт. —
660 ֏
от 30 шт. —
540 ֏
от 100 шт. —
434 ֏
1 шт.
на сумму 1 060 ֏
Описание
Half Bridge 2 290mA 100ns 35ns 10V~20V 600mA SO-8 Gate Drive ICs ROHS
Технические параметры
| Driven Configuration | Half Bridge |
| Fall Time | 35ns |
| Load Type | IGBT;MOSFET |
| Number of Drivers | 2 |
| Operating Temperature | -40℃~+125℃@(Ta) |
| Peak Output Current(sink) | 600mA |
| Peak Output Current(source) | 290mA |
| Rise Time | 100ns |
| Supply Voltage | 10V~20V |
| IC Case / Package | SOIC |
| Задержка Выхода | 100нс |
| Задержка по Входу | 100нс |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество Каналов | 2канал(-ов) |
| Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальное Напряжение Питания | 20В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 10В |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Тип входа | Logic |
| Тип переключателя питания | MOSFET |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Diodes Incorporated DGD2106MS8-13
pdf, 896 КБ