BC556BTF, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
119 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
75 ֏
от 150 шт. —
62 ֏
от 500 шт. —
52 ֏
5 шт.
на сумму 595 ֏
Описание
BC556: PNP Epitaxial Silicon Transistor High Voltage: BC556 VCEO= -65V Low Noise: BC559,BC560 Complement to BC546.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | -65 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Case | TO92 |
| Collector current | 0.1A |
| Collector-emitter voltage | 65V |
| Current gain | 110…800 |
| Frequency | 150MHz |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | THT |
| Polarisation | bipolar |
| Power dissipation | 0.5W |
| Type of transistor | PNP |
| Вес, г | 0.27 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 349 КБ