BC546BTF, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
75 ֏
от 150 шт. —
58 ֏
от 500 шт. —
47 ֏
5 шт.
на сумму 550 ֏
Описание
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 65 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum DC Current Gain | 110 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.26 |